Khi phân tích phản ứng của các vật liệu đối với các điện trường xoay chiều, trong các ứng dụng như chụp cắt lớp trở kháng (EIT), cần thiết phải thay thế suất điện trở bằng một đại lượng phức gọi là trở kháng suất hay suất trở kháng (khái niệm tương tự áp dụng cho trở kháng). Trở kháng suất là tổng của một phần thực (là điện trở suất) với một phần ảo (gọi là điện kháng suất (khái niệm tương tự áp dụng cho điện kháng). Độ lớn của trở kháng suất là căn bậc hai của tổng bình phương các độ lớn của điện trở suất và điện kháng suất.

Ngược lại, trong những trường hợp như thế thì độ dẫn điện phải được biểu diễn như là một số phức (hay thậm chí như một ma trận các số phức, như trong trường hợp của các vật liệu bất đẳng hướng) gọi là độ dẫn nạp. Độ dẫn nạp là tổng của một phần thực gọi là độ dẫn điện và một phần ảo gọi là độ điện nạp theo công thức

Y = G + j B {\displaystyle Y=G+jB\,} ,

Trong đó:

Y là độ dẫn nạp, đo bằng siemens (hay mho ( ℧ {\displaystyle \mho } ), nghịch đảo của ohm.G là độ dẫn điện, đo bằng siemens.j là đơn vị ảo.B là độ điện nạp, đo bằng siemens.

Một miêu tả khác cho phản ứng đối với dòng điện xoay chiều sử dụng độ dẫn điện thực (nhưng phụ thuộc tần số), cùng với độ điện môi thực. Độ dẫn điện lớn hơn nghĩa là tín hiệu dòng xoay chiều được vật liệu hấp thụ nhanh hơn (hay vật liệu có độ chắn điện từ cao hơn). Để có chi tiết, xem Miêu tả toán học của độ chắn điện từ.